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结合选择性和数字湿法腐蚀的InAlAs/InGaAs InP基HEMTs两步栅槽腐蚀工艺 Article
Ying-hui ZHONG, Shu-xiang SUN, Wen-bin WONG, Hai-li WANG, Xiao-ming LIU, Zhi-yong DUAN, Peng DING, Zhi JIN
《信息与电子工程前沿（英文）》 2017年 第18卷 第8期 页码 1180-1185 doi: 10.1631/FITEE.1601121
关键词： 高电子迁移率晶体管（High electron mobility transistors HEMTs）；栅槽；数字湿法腐蚀；选择性湿法腐蚀
8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 关键技术研究 Article
刘国友,丁荣军,罗海辉
《工程（英文）》 2015年 第1卷 第3期 页码 361-366 doi: 10.15302/J-ENG-2015043
基于8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 生产线的建设，重点解决了8英寸IGBT先进工艺技术、第四代高压双扩散金属氧化物半导体 (DMOS+) IGBT技术和第五代沟槽栅IGBT技术等关键技术问题
关键词： 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 高功率密度 沟槽栅 8英寸 轨道交通
基于高κ/GaAs界面态起源的材料设计 Article
Weichao Wang,Cheng Gong,Ka Xiong,Santosh K.C.,Robert M. Wallace,Kyeongjae Cho
《工程（英文）》 2015年 第1卷 第3期 页码 372-377 doi: 10.15302/J-ENG-2015052
为了满足微电子器件不断扩展到更小尺寸的需求，SiO2栅极介电层被高介电常量材料Hf(Zr)O2所替代，以尽可能减少流过介电薄膜的漏电流。然而，与高介电常量 (高κ) 电介质连接时，传统Si通道中的电子迁移率由于库仑散射、表面粗糙度散射、远程声子散射和介电电荷捕获而有所下降。III-V和Ge是两个有希望的候选材料，其迁移率均优于Si。尽管如此，与Si基界面相比，Hf(Zr)O2/III-V(Ge) 的界面结合更为复杂。
分子电子学的发展 Review
Paven Thomas Mathew, 房丰洲
《工程（英文）》 2018年 第4卷 第6期 页码 760-771 doi: 10.1016/j.eng.2018.11.001
分子电子学（moletronics）是用分子作为单元对分子电子学器件进行装配。这是一个包含物理、化学、材料科学及工程等学科的多学科交叉领域。分子电子学致力于使硅元件尺寸进一步减小。分子电子学在电子以及光子应用中逐渐产生影响，如导电聚合物、光色材料、有机超导体、电致变色材料等。为了满足减小硅片尺寸的需求，研究人员有必要将这种新型技术引入到分子层面。虽然分子层面仪器的实验验证和建模分析是一项艰巨的任务，但分子电子学领域依然出现了突破性进展。本文将对不同分子器件和潜在的适用于不同器件的分子应用结合起来进行讨论，如分子晶体管、分子二极管、分子电容、分子导线和分子绝缘体等。
赵兴群,张国兴,谢锴,孙小菡
《中国工程科学》 2005年 第7卷 第1期 页码 33-37
建立行波管电子枪区热状态分析模型，利用ANSYS软件对行波管电子枪的热状态进行了模拟和分析。通过改变电子枪内部的一些结构参数和工作环境参数，特别是栅控行波管的栅极结构尺寸和加载功率的变化，由模拟得到不同条件下电子枪热状态分布，为电子枪的优化设计和合理使用提供了参考。
基于特定最低有效位动态阈值碳纳米管场效应晶体管的高效优化近似栅极扩散输入全加器 Research Article
Ayoub SADEGHI1,Razieh GHASEMI2,Hossein GHASEMIAN3,Nabiollah SHIRI1
《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年 第24卷 第4期 页码 599-616 doi: 10.1631/FITEE.2200077
关键词： 碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）；优化算法；基于非支配排序的遗传算法II（NSGA-II）；栅极扩散输入（GDI）；近似计算
鲍嘉明,孙伟锋,赵 野,陆生礼
《中国工程科学》 2008年 第10卷 第2期 页码 72-78
提出了高压VDMOS的一种高精度静态物理模型(HASPM)。在该模型中，基于更为合理的假设而使得用解析方法求得了双扩散沟道区中的电场和电压；通过深入研究VDMOS 内部的物理特性，给出了一个关于漂移区电场的微分方程，并在整个漂移区都用解析方法求解了该微分方程，由此求得了漂移区的电压降。计算结果表明， 该模型在漏端电流接近饱和处的稳定性有较大提高，具有较高的计算精度，特别是在栅电压与漏电压都比较大的情况下，其计算精度有较大程度的提高。
关键词： 垂直双扩散MOS场效应晶体管 静态物理模型 解析方法
周立伟,刘广荣,高稚允,王仲春
《中国工程科学》 1999年 第1卷 第3期 页码 56-62
文章综述微光成像的电子轰击电荷耦合器件（EBCCD）的进展。EBCCD是将像管的荧光屏以对电子灵敏的背照明、减薄CCD代替，将电子图像直接转变为视频信号，其在所有光照等级下，特别是在极低微光下的调制传递函数（MTF）、分辨力、信噪比、余辉等均优于像增强器耦合CCD文中较为详细地叙述了倒像式EBCCD设计与减薄工艺，给出各种类型倒像式EBCCD像管的技术参数，分析和比较了近贴式与倒像式EBCCD与ICCD的性能，指出了EBCCD在军用夜视技术与民用技术未来发展中的地位与重要性
在现场可编程门阵列中用于降低泄漏功率的动态电源门控 Research Article
Hadi JAHANIRAD
《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年 第24卷 第4期 页码 582-598 doi: 10.1631/FITEE.2200084
基于自解耦三明治结构的横向运动栅场效应晶体管微机电系统微力传感器 Article
高文迪, 乔智霞, 韩香广, 王小章, Adnan Shakoor, 刘存朗, 卢德江, 杨萍, 赵立波, 王永录, 王久洪, 蒋庄德, 孙东
《工程（英文）》 2023年 第21卷 第2期 页码 61-74 doi: 10.1016/j.eng.2022.06.018
本文介绍了一种基于横向运动栅极场效应晶体管（LMGFET）的新型微型力传感器。文中提出了一种用于小型LMGFET器件性能评估的电气模型，与以前的模型相比，其具有更高精度。基于LMGFET的力传感器的灵敏度为4.65 μA∙nN−1，可与垂直可动栅极场效应晶体管（VMGFET）器件相媲美，器件的非线性度提高了0.78%，测量范围扩大为±5.10
王桂忠,张杰,苗洪利,李国强,王鑫
《中国工程科学》 2014年 第16卷 第6期 页码 60-64
有效波高是描述海况的重要参量之一，利用高度计遥感获取有效波高已在海洋研究中获得广泛应用。本文基于海洋二号（HY-2）卫星高度计波形数据，发展了一种高分辨率有效波高反演算法，采用中误差对反演得到的20 Hz有效波高进行筛选，有效提高了测量精度。通过该方法对1 个轨的波形数据进行有效波高反演，统计结果表明：与针对1 s 回波反演的有效波高比较，利用该方法可将有效波高观测分辨率提高约15 倍，精度约为0.44 m；利用HY-2 高度计20 Hz波形数据反演的有效波高精度可靠，可用其进行高分辨率的相关海洋研究。
用于介观模拟电子束选区熔化的数据挖掘技术 Article
钱亚, 闫文韬, 林峰
《工程（英文）》 2019年 第5卷 第4期 页码 746-754 doi: 10.1016/j.eng.2019.06.006
在电子束选区熔化技术（EBSM）工艺中，制造部件的性质受到每一道熔道沉积质量的影响。然而，熔道的形成受到各种物理现象和工艺参数的支配，这些参数之间的相关性十分复杂，难以通过实验得出。近来，介观建模技术已成为模拟电子束（EB）熔化过程以及揭示特定熔道形貌的形成机制的手段。尽管如此，人们对工艺参数与熔道特征之间的相关性尚未有定量的理解。
李鹏,黎明,吴岱,周征,唐淳
《中国工程科学》 2020年 第22卷 第3期 页码 35-41 doi: 10.15302/J-SSCAE-2020.03.006
自由电子激光（FEL）光源是一种基于电子直线加速器的大型科研装置，广泛应用于凝聚态物理、先进材料与表面物理、原子分子物理、化学、生物等基础科学研究
标题 作者 时间 类型 操作
结合选择性和数字湿法腐蚀的InAlAs/InGaAs InP基HEMTs两步栅槽腐蚀工艺
Ying-hui ZHONG, Shu-xiang SUN, Wen-bin WONG, Hai-li WANG, Xiao-ming LIU, Zhi-yong DUAN, Peng DING, Zhi JIN
期刊论文
基于高κ/GaAs界面态起源的材料设计
Weichao Wang,Cheng Gong,Ka Xiong,Santosh K.C.,Robert M. Wallace,Kyeongjae Cho
期刊论文
基于特定最低有效位动态阈值碳纳米管场效应晶体管的高效优化近似栅极扩散输入全加器
Ayoub SADEGHI1,Razieh GHASEMI2,Hossein GHASEMIAN3,Nabiollah SHIRI1
期刊论文
基于自解耦三明治结构的横向运动栅场效应晶体管微机电系统微力传感器
高文迪, 乔智霞, 韩香广, 王小章, Adnan Shakoor, 刘存朗, 卢德江, 杨萍, 赵立波, 王永录, 王久洪, 蒋庄德, 孙东
期刊论文
京公网安备 11010502051620号
